平板電腦崛起:內存的末日 閃存的輝煌
2011年三星、東芝、新帝和美光3大陣營都有新廠加入營運的計劃，其中美光合作伙伴英特爾(Intel)雖然拒絕再玩，但美光可不愿意錯過這次嵌入式閃存崛起機會，趁機持續(xù)擴大市占率，讓美光全球老三的寶座愈坐愈穩(wěn)。
內存條
三星在2010年上半就宣布巨額資本支出計劃，其中在半導體事業(yè)部門的投資金額高達9兆韓元(約新臺幣2,352億元)，除了50%投資是用在DRAM制程升級外，另一項最重要的計劃就是興建月產能高達20萬片的Line-16新廠。
閃存顆粒（PCIE接口SSD）
三星Line-16新廠設備可生產DRAM、NAND Flash或相變化內存(PCM)，市場認為保留一定產能給NAND Flash是必然的策略，估計2011年底前Line-16廠房NAND Flash產能，至少可達5萬片水平。
此外，三星也會讓部分8吋晶圓廠產能退役，以及Line-15廠房有機會再增加部分NAND Flash產能，整體而言，三星目前單月NAND Flash產能約30萬~32萬片，預計到2011年底NAND Flash產能可望增加至35萬~40萬片(換算成12吋晶圓)。
東芝和新帝12吋晶圓廠Fab 5也預計，2011年4月將開始進機器設備，預計個別公司單月產能將至少達3萬~4.5萬片。
美光方面，2010年獨自宣布啟動新加坡廠擴產計劃，雖然不見策略聯盟伙伴英特爾的參與，但美光2010年底已完成機器設備裝置，公司訂立的目標是2011年底達單月產能10萬片，而此座廠房的滿載產能為20萬片水平。
此外，過去幾年因為NAND Flash制程轉進不順，加上8吋晶圓廠退役后，沒有大幅新產能加入下，導致市占率一直衰退的海力士(Hynix)，一直將重心放在DRAM產業(yè)上，全力鞏固其DRAM老二寶座，因此在NAND Flash產業(yè)上，氣勢顯得較為沉寂。
海力士在NAND Flash產業(yè)上雖然沒有宣布大型擴產計劃，但旗下還有一座M12廠房已蓋好，只是機器設備未移入，不論未來是要擴產DRAM或是NAND Flash產能，未來產能擴充都保持彈性空間。
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