平板電腦崛起:內(nèi)存的末日 閃存的輝煌
2011年三星、東芝、新帝和美光3大陣營(yíng)都有新廠加入營(yíng)運(yùn)的計(jì)劃，其中美光合作伙伴英特爾(Intel)雖然拒絕再玩，但美光可不愿意錯(cuò)過這次嵌入式閃存崛起機(jī)會(huì)，趁機(jī)持續(xù)擴(kuò)大市占率，讓美光全球老三的寶座愈坐愈穩(wěn)。
內(nèi)存條
三星在2010年上半就宣布巨額資本支出計(jì)劃，其中在半導(dǎo)體事業(yè)部門的投資金額高達(dá)9兆韓元(約新臺(tái)幣2,352億元)，除了50%投資是用在DRAM制程升級(jí)外，另一項(xiàng)最重要的計(jì)劃就是興建月產(chǎn)能高達(dá)20萬片的Line-16新廠。
閃存顆粒（PCIE接口SSD）
三星Line-16新廠設(shè)備可生產(chǎn)DRAM、NAND Flash或相變化內(nèi)存(PCM)，市場(chǎng)認(rèn)為保留一定產(chǎn)能給NAND Flash是必然的策略，估計(jì)2011年底前Line-16廠房NAND Flash產(chǎn)能，至少可達(dá)5萬片水平。
此外，三星也會(huì)讓部分8吋晶圓廠產(chǎn)能退役，以及Line-15廠房有機(jī)會(huì)再增加部分NAND Flash產(chǎn)能，整體而言，三星目前單月NAND Flash產(chǎn)能約30萬~32萬片，預(yù)計(jì)到2011年底NAND Flash產(chǎn)能可望增加至35萬~40萬片(換算成12吋晶圓)。
東芝和新帝12吋晶圓廠Fab 5也預(yù)計(jì)，2011年4月將開始進(jìn)機(jī)器設(shè)備，預(yù)計(jì)個(gè)別公司單月產(chǎn)能將至少達(dá)3萬~4.5萬片。
美光方面，2010年獨(dú)自宣布啟動(dòng)新加坡廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，雖然不見策略聯(lián)盟伙伴英特爾的參與，但美光2010年底已完成機(jī)器設(shè)備裝置，公司訂立的目標(biāo)是2011年底達(dá)單月產(chǎn)能10萬片，而此座廠房的滿載產(chǎn)能為20萬片水平。
此外，過去幾年因?yàn)镹AND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)不順，加上8吋晶圓廠退役后，沒有大幅新產(chǎn)能加入下，導(dǎo)致市占率一直衰退的海力士(Hynix)，一直將重心放在DRAM產(chǎn)業(yè)上，全力鞏固其DRAM老二寶座，因此在NAND Flash產(chǎn)業(yè)上，氣勢(shì)顯得較為沉寂。
海力士在NAND Flash產(chǎn)業(yè)上雖然沒有宣布大型擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，但旗下還有一座M12廠房已蓋好，只是機(jī)器設(shè)備未移入，不論未來是要擴(kuò)產(chǎn)DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能，未來產(chǎn)能擴(kuò)充都保持彈性空間。
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