工藝命名大改，英特爾在下什么棋？（上篇）
在北京時(shí)間的7月27日凌晨，英特爾舉辦了其intel-accelerated的在線直播，在這一個(gè)直播中，英特爾向外界展示了其下一步的戰(zhàn)略目的，并且對(duì)于英特爾旗下產(chǎn)品的技術(shù)路線進(jìn)行了進(jìn)一步的公布。
在一開始的開場(chǎng)中，英特爾首先進(jìn)一步向外界介紹其IDM 2.0戰(zhàn)略。在介紹IDM 2.0戰(zhàn)略是，英特爾官方提到，IDM 2.0戰(zhàn)略在現(xiàn)階段將包含三個(gè)部分，首先是在對(duì)英特爾內(nèi)部的產(chǎn)品提供更加優(yōu)秀的內(nèi)容，進(jìn)一步提升交付能力，并且推展新一代的工藝技術(shù)。其次是對(duì)于其他的客戶來說，將進(jìn)行持續(xù)的優(yōu)化，為不同類型的客戶提供最佳產(chǎn)品供應(yīng)，根據(jù)客戶的需求進(jìn)一步匹配到代工能力。最后是將建立持續(xù)性的投資，通過的大規(guī)模的投資獲得半導(dǎo)體大規(guī)模的制造和封裝能力。
在現(xiàn)階段英特爾再一次強(qiáng)調(diào)公布了旗下的IDM 2.0計(jì)劃，意在進(jìn)一步宣傳其具備代工能力，可以承接此后的半導(dǎo)體訂單，并且可以使用英特爾旗下的各項(xiàng)制造能力，滿足用戶的需求。英特爾在是隨后的動(dòng)作也進(jìn)一步反映了這一點(diǎn)。
英特爾在進(jìn)一步的演講中提到，從1997年開始，半導(dǎo)體代工業(yè)內(nèi)已經(jīng)使用了多年的基于納米的傳統(tǒng)制程節(jié)點(diǎn)命名方法已經(jīng)不再和晶體管實(shí)際的柵極長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)。在現(xiàn)階段，各家半導(dǎo)體廠商都在采用自家的命名規(guī)則，這造成了客戶群體的認(rèn)知混亂，因此英特爾希望建立一個(gè)全新的標(biāo)準(zhǔn)，不再以傳統(tǒng)的節(jié)點(diǎn)命名進(jìn)行劃分，而是建立一個(gè)全新的命名體系，讓外界對(duì)于半導(dǎo)體的制程有更加清晰的認(rèn)知。
在此前我們的《泡問泡答：英特爾的10nm之路為什么那么慢？》提到過英特爾在進(jìn)入10nm階段進(jìn)度緩慢的原因，而在其中我們介紹過，英特爾在進(jìn)入10nm階段時(shí)采取了一系列的措施，導(dǎo)致工藝難度的上升，并且導(dǎo)致最后進(jìn)度的緩慢。除此之外，在納米制程的眾多關(guān)鍵性指標(biāo)上，英特爾的10nm和臺(tái)積電的7nm差距很小，這就是由于兩者間采用了不同的節(jié)點(diǎn)命名方式，雖然基本參數(shù)相同，但是在宣傳上英特爾的10nm聽起來就是不如臺(tái)積電的7nm強(qiáng)。
所以現(xiàn)階段英特爾對(duì)半導(dǎo)體制程命名規(guī)則的更改一方面就是為在對(duì)于外界的宣傳上取得更好的優(yōu)勢(shì)，一方面也是為了宣傳其作為“摩爾定律”的發(fā)明者，依然處在半導(dǎo)體制造業(yè)的領(lǐng)先前沿地位。
具體英特爾干了什么？讓我們接著往下看。英特爾此次公布了其未來接近10年的技術(shù)路線圖，并且對(duì)現(xiàn)階段到未來的2025年路線有進(jìn)一步的介紹。
在英特爾公布的內(nèi)容上，英特爾此前推出的英特爾10nm工藝將依然稱之為英特爾10nm，而在10nm之后的增強(qiáng)型 SuperFin 上將從以前的命名更改為全新的英特爾7。英特爾7和此前的英特爾 10nm SuperFin 相比，每瓦性能將提升約 10%-15%。而在今年下半年推出基于 Alder Lake架構(gòu)的消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品也就是傳聞的第12代CPU將采用 Intel 7 工藝，隨后是面向數(shù)據(jù)中心的 Sapphire Rapids 預(yù)計(jì)將于 2022 年第一季度投產(chǎn)。22年除了上面的產(chǎn)品之外，也將在2022 年初上市Ponte Vecchio GPU 同樣采用了 Intel 7 工藝，其中集成了基片（base tiles）和 Rambo 緩存晶片（Rambo cache tiles）。
在英特爾7的工藝節(jié)點(diǎn)上，英特爾宣布在這一代的工藝節(jié)點(diǎn)上將推出英特爾旗下首款異構(gòu)和大小核心處理器。由此將有可能為市場(chǎng)帶來與此前不同的CPU架構(gòu)方案。
在英特爾7之后是英特爾4工藝節(jié)點(diǎn)，根據(jù)英特爾官方的消息，英特爾4的每瓦性能將比英特爾 7 提高 20%。首批采用英特爾4工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品是Meteor Lake 架構(gòu)的產(chǎn)品和 Granite Rapids架構(gòu)的產(chǎn)品。
英特爾在這一次的活動(dòng)上也介紹了將會(huì)獲得來自 ASML 的第一臺(tái)High-NA EUV 光刻機(jī)，將定義、構(gòu)建和部署下一代高數(shù)值孔徑 EUV（High-NA EUV）。在此基礎(chǔ)上，英特爾將在其中的英特爾4節(jié)點(diǎn)上全面采用EUV工藝進(jìn)行制造，并且將在后續(xù)的英特爾3節(jié)點(diǎn)上進(jìn)一步將EUV工藝應(yīng)用到其他的生產(chǎn)。
英特爾4之后是英特爾3工藝節(jié)點(diǎn)，英特爾3工藝節(jié)點(diǎn)將相比較于上一代提供 18% 的 perf/watt 提升。實(shí)現(xiàn)更高的能量傳遞，減低能量和信號(hào)的損耗。英特爾3工藝預(yù)計(jì)將在2023年下半年推出。
隨后的英特爾的20A工藝節(jié)點(diǎn)，其中的A代表為埃，為 0.1nm，20A 也就是 2nm，預(yù)計(jì)將在2024年的上半年推出。在這一個(gè)英特爾20A的工藝上，英特爾將引入RibbonFET 和 PowerVia 兩種創(chuàng)新工藝。
其中的PowerVia 是英特爾獨(dú)有的并且是業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，可消除晶圓正面供電布線來優(yōu)化信號(hào)傳輸。RibbonFET 技術(shù)能加快了晶體管開關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，并且實(shí)現(xiàn)更小的體積占用。
英特爾官方也宣布，從英特爾20A 更進(jìn)一步的英特爾18A 節(jié)點(diǎn)也已在研發(fā)中，將于 2025 年初推出，它將對(duì) RibbonFET 進(jìn)行改進(jìn)，在晶體管性能上實(shí)現(xiàn)又一次重大飛躍。作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨頭，我們可以期待其推出的產(chǎn)品。
總結(jié)：英特爾的這一次活動(dòng)對(duì)其工藝路線有了進(jìn)一步的秀出，讓未接對(duì)其的IDM 2.0戰(zhàn)略有了進(jìn)一步的認(rèn)知。除此之外英特爾也通過自己的技術(shù)產(chǎn)品對(duì)其能力有更好的展示，未來英特爾還將會(huì)有進(jìn)一步的動(dòng)作，下期將各位帶來進(jìn)一步的分析。
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