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????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道6月2日?著名存儲(chǔ)廠商博帝在今年的Computex大會(huì)上產(chǎn)品層出不窮，產(chǎn)品遍布DDR3內(nèi)存到SSD存儲(chǔ)。比較引人注意的是，博帝展示了全球首款四通道DDR3內(nèi)存套裝，完美兼容將于四季度發(fā)布的Sandy Bridge-E處理器平臺(tái)。 體驗(yàn)平臺(tái) 5款DDR3內(nèi)存 覆蓋雙通道到四通道 VIPER XTREME DIVISION4四通道套裝 ??? VIPER

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月31日?Computex大會(huì)已經(jīng)開(kāi)幕，做為高端DIY配件廠商，海盜船在這次展會(huì)上將展示自己的全新概念產(chǎn)品：Corsair LINK。 ??? Corsair LINK可以為海盜船產(chǎn)品提供一個(gè)控制系統(tǒng)，通過(guò)這個(gè)系統(tǒng)玩家不僅可以監(jiān)控電腦主機(jī)的散熱系統(tǒng)、電源、內(nèi)存等，還能自行調(diào)整主機(jī)中散熱風(fēng)扇、水泵等運(yùn)行參數(shù)，達(dá)到心中理想的運(yùn)行效果。 ??? 海盜船新款

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月27日?被國(guó)內(nèi)玩家稱(chēng)為“紅梳子”的海盜船Dominator GTX系列內(nèi)存將迎來(lái)一款新的產(chǎn)品，雙通道8GB套裝，工作頻率為2400MHz，而延遲僅僅只有9-11-10-30，它將成為全球最快的雙通道內(nèi)存。 ??? 海盜船的內(nèi)存產(chǎn)品主管Giovanni Sena表示：“新的8GB套裝將幫助玩家挖掘出內(nèi)存的極限性能。這些內(nèi)存都是記過(guò)仔細(xì)的篩選、測(cè)試，玩家們借助它可以實(shí)現(xiàn)

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月25日?一直主打中高端市場(chǎng)的Super Talent今天發(fā)布了一款入門(mén)級(jí)USB 3.0 U盤(pán)，它們都采用了低價(jià)的MLC NAND閃存。 ??? Super Talent新發(fā)布的USB 3.0 U盤(pán)采用了無(wú)帽設(shè)計(jì)，型號(hào)為USB 3.0 Express DUO 2CH，讀寫(xiě)速度分別為67MB/s和23MB/s。尺寸為80.82 x 20.62 x 12.1mm，提供5年

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月24日?4月28日發(fā)布，7月7日上市，在等待《仙劍奇?zhèn)b傳五》發(fā)布的日子里，《仙劍5》官方發(fā)布了首個(gè)周邊實(shí)物照——“《仙劍奇?zhèn)b傳5》典藏U盤(pán)”正式對(duì)外發(fā)布。 　　《仙劍奇?zhèn)b傳5》典藏U盤(pán)采用純銅材質(zhì)打造，容量4GB，大小為11 x 2cm，重約75克。該U盤(pán)為《仙劍5》豪華包贈(zèng)品之一，限量發(fā)售，極具收藏價(jià)值。 《仙劍5》豪華包贈(zèng)品U盤(pán)實(shí)物 ??? ■

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月21日?與其它產(chǎn)品一味追求高頻率不同的是，威剛近日推出了一款超低電壓版4GB DDR3 1333MHz內(nèi)存套裝（單條2GB），電壓低至1.35V。 ??? 這款內(nèi)存隸屬XPG+(Xtreme Performance Gear)游戲系列內(nèi)存，散熱片采用了紅色設(shè)計(jì)，為了達(dá)到低電壓，采用了高質(zhì)量PCB，極限性能模式（XPG）下時(shí)序?yàn)?-8-8-24，而游戲情況下時(shí)序?yàn)?-

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月20日?近來(lái)USB 3.0的U盤(pán)創(chuàng)新不斷，作為存儲(chǔ)大廠，海盜船今天也推出了一款別具風(fēng)格的USB 3.0閃存，外形酷似航海模型。 ??? 正如它的外觀，這款閃存的名稱(chēng)為Flash Voyager USB 3.0，可以提供4倍于USB 2.0的速度，能夠有效節(jié)約用戶(hù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的時(shí)間。Flash Voyager USB 3.0家族都采用了相似的外觀設(shè)計(jì)，這包括防滑橡膠外殼，

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月19日?存儲(chǔ)設(shè)備廠商金士頓今天面向高端市場(chǎng)發(fā)布了一款DataTraveler Ultimate 3.0 G2閃存，讀取速度到達(dá)100MB/s大關(guān)，而寫(xiě)入速度也達(dá)到了60MB/s。 ??? DataTraveler Ultimate 3.0 G2的外觀設(shè)計(jì)和上代相同，尺寸為73.7x22.2x16.1mm，USB 3.0模式下讀取為100MB/s，寫(xiě)入70MB/s，而

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月16日?著名存儲(chǔ)廠商今天發(fā)布了兩款新的閃存分別為SR1和SR3，外觀酷似跑車(chē)，接口分別為USB 2.0和USB 3.0。 ??? 據(jù)悉這兩款U盤(pán)將在Computex 2011上亮相，它們都采用了相同的設(shè)計(jì)，只不過(guò)接口不同，SR1為USB 3.0接口，SR3則為USB 2.0接口。 ??? 采用USB 3.0接口的SR1官方聲稱(chēng)可以達(dá)到50MB/s的讀寫(xiě)能力，完

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月13日?早在一年前三星和東芝就開(kāi)始著手研發(fā)DDR2接口NAND，今天三星正式宣布，已經(jīng)研制成功，并將在64Gb(8GB) MLC(multi-level cell)首次使用Toggle DDR2接口。 ??? 另外這些NAND將采用20nm工藝制造，采用Toggle DDR2 64Gb NAND Flash較現(xiàn)在的SDR NAND Flash信息處理速度40Mb

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月26日?內(nèi)存廠商金士頓今天又發(fā)布了一款新的駭客系列產(chǎn)品--HyperX Plug and Play (PnP)，這款內(nèi)存主要面向極限高端用戶(hù)。 ??? 值得一提的是，這款內(nèi)存專(zhuān)門(mén)針對(duì)Sandy Bridge處理器，當(dāng)被安裝在Sandy Bridge平臺(tái)上時(shí)，內(nèi)存會(huì)自動(dòng)通過(guò)程序達(dá)到更快的速度，為1600MHz或1866MHz。 ??? 內(nèi)存模組使用了JEDEC兼

??泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月25日?昨天，世界著名超頻玩家Vince“K|ngp|n”Lucido和Illya“TiN”Tsemenko成功刷新了3DMark 11和3DMark Vantage的世界紀(jì)錄。 海盜船三通道Dominator GT內(nèi)存 　　此次，兩位玩家破世界紀(jì)錄的平臺(tái)配置包括：EVGA Classified SR-2主板、兩顆Intel Xeon X5690處理器、四張EVGA

??? 泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月21日 日前，儲(chǔ)存設(shè)備廠商Silicon Power發(fā)布了新款U盤(pán)Blaze B10，其采用USB 3.0接口，而且是業(yè)界首款會(huì)根據(jù)溫度變化改變外觀顏色的產(chǎn)品。 ??? Blaze B10尺寸72.4x17.4x10mm，重9.5g。采用USB 3.0接口，向下兼容USB 2.0/1.1，接口可靠性插接10000次。容量8GB、16GB、32GB，最高讀取速度70M

???泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月22日?就在上周，英特爾與鎂光（IMFT公司）宣布其最新的20納米NAND工藝技術(shù)，今天東芝透露，它已經(jīng)生產(chǎn)采用19nm技術(shù)NAND閃存芯片。 ??? 東芝的19nm NAND采用每單位雙位元結(jié)構(gòu)，單顆芯片可達(dá)64Gb（8GB），號(hào)稱(chēng)是“世界上最小”，因此至需要118 mm2就可以達(dá)到IMFT的20nm 8GB NAND。 ??? 采用19nm 8GB閃存芯片將于本

???泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月21日? 爾必達(dá)在臺(tái)灣的子公司瑞晶電子公司宣布成功試產(chǎn)了爾必達(dá)的30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，這次試產(chǎn)爾必達(dá)30nm制程產(chǎn)品的結(jié)果達(dá)到了公司預(yù)期的期望值，瑞晶并稱(chēng)公司將按計(jì)劃進(jìn)行制程的切換工作。 ??? 新的2Gb DDR3內(nèi)存芯片采用的是爾必達(dá)開(kāi)發(fā)的30nm制程技術(shù)制作，這種制程功耗低且產(chǎn)出效率高.相比采用40nm制程制作的芯片，每片晶圓可多產(chǎn)出45%%

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月20日?2TB的硬盤(pán)存儲(chǔ)可能不算很突出，但是2TB的RAM絕對(duì)是相當(dāng)?shù)恼鸷?，現(xiàn)在借助三星的4Gb單顆內(nèi)存顆粒，HP服務(wù)器可以提供高達(dá)2TB的內(nèi)存容量。 ??? 內(nèi)存容量對(duì)于主流的消費(fèi)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)可能不需要很大，能夠滿(mǎn)足基本的需要就可以了，像現(xiàn)在主流的PC搭配4GB的內(nèi)存，即使對(duì)于極端的愛(ài)好者可能會(huì)使用 12GB, 16GB或是24GB的內(nèi)存，不過(guò)目前大多數(shù)的游戲是不會(huì)超

??? 泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月20日?G.Skill今天宣布，正在開(kāi)發(fā)并即將推出世界上最快的8GB DDR3雙通道內(nèi)存套裝，運(yùn)行頻率高達(dá)2300MHz(PC3-18400)。 ??? 該套裝隸屬于芝奇的Ripjaws-X系列產(chǎn)品，由兩條容量4GB DDR3 DIMM內(nèi)存條組成，額定頻率達(dá)到2300MHz，時(shí)序?yàn)?-11-9-28-2N，電壓1.65V。由于運(yùn)行頻率高、發(fā)熱量大，兩條內(nèi)存不但安裝了

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月15日??Intel、鎂光今天聯(lián)合宣布了最先進(jìn)的20nm工藝閃存。 ???? 20nm工藝依然由Intel、鎂光聯(lián)合投資的IM Flash Technologies(IMFT)負(fù)責(zé)制造，可以生產(chǎn)出容量達(dá)64Gb(或者說(shuō)8GB)的MLC NAND閃存顆粒，而且核心面積僅僅118平方毫米，相比25nm 8GB NAND閃存減小30-40％。 ??? Intel宣稱(chēng)，

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月7日?盡管受到地震影響,一些工廠出現(xiàn)停工現(xiàn)象，但日本存儲(chǔ)芯片大廠爾必達(dá)的新品發(fā)布進(jìn)程并未受到影響。今天，他們發(fā)布了針對(duì)智能手機(jī)、平板機(jī)的新款移動(dòng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，基于30nm工藝的DDR2 Mobile-RAM。 ??? 新款Mobile-RAM單顆容量為4Gb（512MB），頻率DDR2 1066MHz，電壓1.2V。相比40nm 2Gb產(chǎn)品，新品30nm 4Gb顆粒

????泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月7日?雖然各個(gè)日本企業(yè)在地震中都有所損失，但仍然不能終止他們前進(jìn)的腳步。日前，東芝正式發(fā)布了基于24nm制程技術(shù)的SmartNAND系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)大了其N(xiāo)AND閃存的產(chǎn)品線(xiàn)。 　　東芝SmartNAND系列閃存芯片采用了24nm制程工藝，使用傳統(tǒng)NAND接口，并在內(nèi)部封裝了ECC錯(cuò)誤校驗(yàn)控制芯片，可有效降低ECC校驗(yàn)時(shí)造成的系統(tǒng)負(fù)擔(dān)。 　　該系列閃存芯