- 因DRAM市場嚴重下滑 三星裁員1600人
??? 根據(jù)《韓國時報(Korea Times)》的報導,三星電子(Samsung Electronics)自今年3月以來已累計裁員超過1600人。該報導指出,三星在今年8月宣布了一系列組織重整計畫以削減成本,包括鼓勵員工自愿退休以及企業(yè)內(nèi)部的改組。 ??? 據(jù)了解,三星此舉是為了因應DRAM市場嚴重下滑和記憶體市場低迷不振。今年以來三星的負面消息不少,包括該公司的幾位高層,已認罪參與共謀在全球市
吳愧 · 2007-11-22 09:17 - SIA表示:全球芯片的銷售額將增長3%%
??? 據(jù)國外媒體報道,美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)表示,近期內(nèi)半導體市場不大可能出現(xiàn)衰退。它認為今年全球芯片的銷售額將增長3%%,在隨后三年中的增長速度會更高一些。??? SIA表示,它預計全球的芯片銷售額將由去年的2477億美元增長至2571億美元,增長速度低于今年年初時預期的10%%。? 6月份,SIA將今年芯片銷售額的增長速度預期下調(diào)到了1.8%%,主要原因是幾種關鍵市場的低迷,其中包括微處理器
吳愧 · 2007-11-16 09:52 - 業(yè)界首款:2GB DDR3 DRAM顆粒研發(fā)成功
?? 隨著科技與信息的發(fā)展,硬盤、內(nèi)存都朝大容量方向發(fā)展。近期,美光宣布了業(yè)界首款2GB DDR3 DRAM顆粒研發(fā)成功,應用該顆粒,內(nèi)存廠商可以制造出8GB或16GB的服務器內(nèi)存條,或4GB容量的臺式機、筆記本內(nèi)存。采用鎂光D9顆粒的內(nèi)存??? 此款產(chǎn)品商用投產(chǎn)預計在2008年第一季度完成。該顆粒使用78nm制程,數(shù)據(jù)傳輸率達到1333Mbps,電壓1.5到1.8伏。根據(jù)IDC的預計,到明年年底
吳愧 · 2007-11-01 09:29 - 07國際通信展:金士頓存儲產(chǎn)品全展示
??? 中國國際通信設備技術展覽會起源于1982年,多年來與中國經(jīng)濟和信息產(chǎn)業(yè)持續(xù)、快速的發(fā)展同步進行,如今已成為亞洲規(guī)模最大、最具影響力的世界品牌的信息通信展覽會。國際通信展歷年來都吸引數(shù)十萬信息通信領域的專家學者、決策人員、工程技術人員、采購商、運營商等前來參觀。展會將會展出通信設備技術領域一年來的最新技術和卓越產(chǎn)品,并且每年都會吸引各大通訊信息、移動存儲制造商前來參展,此次金士頓參展的產(chǎn)品覆
吳愧 · 2007-10-23 09:46 - NAND淡季行情走弱 預期跌幅應該有限
??? NAND Flash淡季行情走弱,繼記憶體晶片龍頭廠三星認為本季NAND Flash價格將下跌15%%左右后,第二大廠海力士(Hynix)昨日也認為,NAND本季將面臨供需面進一步修正。兩大廠同時看淡NAND Flash市場趨勢,概念股群聯(lián)(8299)、勁永(6145)、創(chuàng)見(2451)、威剛(3260)等,恐首當其沖。??? NAND Flash價格9月起走弱,向下修正逾兩成。外資圈近期對
吳愧 · 2007-10-20 08:24 - DDR3控制器介面方案 使其應用更廣泛
??? DDR3內(nèi)存越來越多的出現(xiàn)在消費者面前,不管是廠商還是消費者都非常重視、關注DDR3內(nèi)存。近期美國利基型DRAM廠芮博士(Rambus)宣布推出業(yè)界標準DDR3記憶體控制器介面的解決方案,這個完全整合的硬體巨集功能晶片單元(hard macro cell)提供控制器邏輯與DDR3或DDR2裝置間的實體層(PHY)介面,資料傳輸率最高可達1600MHz。Rambus執(zhí)行長Harold Hug
吳愧 · 2007-10-18 09:24 - 4.8GHz頻率XDR內(nèi)存 性能是DDR2的6倍
??? 根據(jù)Rambus的說法,多核心處理器對內(nèi)存帶寬的要求最高可達100GB/s,而DDR2僅能提供12.8GB/s,DDR3也只有25.6GB/s,XDR架構則可立即提升到102GB/s,這說明XDR內(nèi)存無疑是非常先進的。近日,爾必達宣布推出頻率高達4.8GHz的Rambus XDR內(nèi)存芯片,其性能可達當今業(yè)界標準DDR2內(nèi)存的6倍。??? 爾必達的4.8GHz XDR DRAM芯片采用70n
吳愧 · 2007-10-08 14:14 - DDR2內(nèi)存容量將突破 2GB顆粒準備投產(chǎn)
??? 現(xiàn)在大容量內(nèi)存漸漸普及,DDR2已經(jīng)發(fā)展到2GB甚至更高的容量。近期日本內(nèi)存廠商Elpida近日宣布成功開發(fā)出了首款1066MHz工作頻率、2GB超大容量的DDR2內(nèi)存顆粒。??? 這種顆粒將應用在他們的EDE2104ABSE和EDE2108ABSE兩款產(chǎn)品上,都會在今年10月開始樣品生產(chǎn),量產(chǎn)則是可能在2007年底開始。全新的2GB DDR2顆粒采用更好的功耗管理技術,可以進一步縮小產(chǎn)品
吳愧 · 2007-09-29 09:14 - 雷克沙在內(nèi)存領域也能 推出DDR3內(nèi)存
??? 雷克沙對于擁有數(shù)碼相機的用戶都因該很了解,在存儲領域擁有非常不錯的成績與知名度。其實美國存儲品牌LEXAR(雷克沙)其實除了生產(chǎn)NAND閃存芯片產(chǎn)品外,還出產(chǎn)DRAM內(nèi)存模組。??? 它旗下?lián)碛挟a(chǎn)品品牌包括Lexar和Crucial,而Crucial公司近期最新發(fā)布首款Ballistix系列的DDR3內(nèi)存模組產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用78納米制程的內(nèi)存芯片設計,運行頻率1600MHz,提供1GB容量
吳愧 · 2007-09-21 09:08 - 重現(xiàn)DDR2的命運 AMD K10開始支持DDR3
??? 近期,一份名為“BIOS and Kernel Developer''s Guide for AMD Family 10h Processors”(AMD 10h家族處理器BIOS和內(nèi)核開發(fā)者指南)的文檔里可以看到,K10 Opteron/Phenom處理器及其變種其實都集成了可以同時支持DDR2和DDR3的內(nèi)存控制器,而且對DIMM的控制是由兩個獨立的內(nèi)存控制器負責的。??? 只要有配備
吳愧 · 2007-09-18 09:31 - 金士頓20年風采!探內(nèi)存/U盤生產(chǎn)過程
??? 據(jù)近期一份市場調(diào)查報告顯示,如果按照公司營收標準計算,內(nèi)存制造商金士頓在全球記憶體模組供應商排行榜上名列第一。 據(jù)vnunet報道,此份調(diào)查報告由iSuppli提供,憑借產(chǎn)品利潤率方面的優(yōu)勢,在2006年中金士頓公司創(chuàng)造了DRAM產(chǎn)品總銷量22億美元的新紀錄,幾乎比前一年提高了8億美元。而根據(jù)金士頓宣布,其2006年營收高達37億美金,創(chuàng)金士頓20年歷史最高營收記錄。??? 在得出這個可喜
吳愧 · 2007-09-17 14:28 - 個人電腦到伺服器 創(chuàng)見推高端2GB內(nèi)存
??? 近期消息稱,創(chuàng)見資訊推出高容量2GB DDR2-800 ECC Unbuffered DIMM內(nèi)存模組,特別針對高階電腦系統(tǒng)設計制造而成,可在傳輸時間允許偵測并校正錯誤。??? 創(chuàng)見指出,新推出的大容量 2GB高階內(nèi)存模組,可使用電子方法檢查儲存在DRAM中的資料是否一致,藉此降低系統(tǒng)運作時出錯的風險,以提高系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性跟可靠性,適合需要極高運算效能的高階個人電腦、各式工作站及伺服器。
吳愧 · 2007-09-15 07:28 - 業(yè)界第一款 三星研發(fā)出60nm內(nèi)存芯片
??? 三星近期表示,已開發(fā)出采用60nm級制程地2GB DDR2 DRAM,并取得Intel認證,將于2007年底起導入量產(chǎn)。據(jù)了解,此次開發(fā)出的60奈nm2GB DDR2 DRAM的最快速度可達800Mbps,與80nm 2GB DDR2相比,性能可以最多提升20%%,更重要的是節(jié)能效率可以增強40%%。??? 三星還表示2007下半年起DRAM市場將由512MB轉(zhuǎn)換為1GB,而三星也將透過此次推
吳愧 · 2007-09-13 09:55 - 提升產(chǎn)能和良率 中芯國際上海廠試產(chǎn)
??? 中芯國際在大陸的發(fā)展已領先群雄,先后完成了在 大陸東部和中西部中心城市的發(fā)展部署,形成華北、華 中、西南三足鼎立的態(tài)勢。目前,中芯國際擁有的海外 工程及技術人員達1000多人,其中來自臺灣500多人,美 國和加拿大約300人,日本、韓國以及歐洲部分國家約200人。使其成為大陸最大的晶片制造商,??? 近期,中芯國際在上海建成的12英寸工廠現(xiàn)已開始試產(chǎn)。這條世界領先的生產(chǎn)線將生產(chǎn)90納米及以
吳愧 · 2007-09-10 08:15 - 未來內(nèi)存希望 IBM和TDK攜手研發(fā)MRAM
??? 近期,IBM和TDK兩公司宣布將攜手研發(fā)大容量、高密度的MRAM,以推動MRAM(磁阻內(nèi)存)的量產(chǎn)和市場推廣。聯(lián)合研發(fā)計劃的重點是開發(fā)高容量、高密度的磁阻內(nèi)存電路,他們將研究如何應用自旋動量轉(zhuǎn)移來生產(chǎn)體積更小的數(shù)據(jù)存儲單元。IBM公司與TDK公司聯(lián)合研發(fā)計劃為期四年,將在IBM公司和TDK公司的多個研究機構內(nèi)進行,其中包括TDK公司在美國加州Milpitas市的研發(fā)中心。 ??? MRAM
吳愧 · 2007-08-23 09:10 - 三星投資7.87億美元升級記憶體生產(chǎn)線
??? 韓國三星電子近期表示,將投資7.878億美元升級記憶體晶片生產(chǎn)線,并提高產(chǎn)能。??? 三星電子為全球最大的記憶體晶片制造商,該公司在提交韓國證交所的文件中表示,該投資將在2007年內(nèi)進行,以因應增長的晶片需求,并改善其成本競爭力。但是并沒有透露進一步的詳細計劃,相信這一投資的實施肯定會影響存儲現(xiàn)貨市場的價格。
吳愧 · 2007-08-22 07:58 - Q1內(nèi)存芯片出貨量增23%%營收卻下滑24%%
近期,據(jù)業(yè)內(nèi)的分析報告顯示,今年的Q2 DRAM芯片市場持續(xù)淡季和非常平靜的出貨表現(xiàn),以及平庸的財務報表是今年上半年DRAM芯片市場的形勢。今年Q1的DRAM芯片出貨量增長23%%,但是營收缺下滑24%%,在全球前十大DRAM芯片廠商中,尤其是包括nanya,powerchip,promos的營收下滑率竟然高達43%%。 而三星繼
吳愧 · 2007-08-01 09:19 - 可達102GB/s帶寬 Rambus力推XDR內(nèi)存
近期Digitimes報道稱,Rambus正在積極聯(lián)絡臺灣DRAM廠商,采用自己的高速XDR內(nèi)存架構,宣稱整個內(nèi)存業(yè)界低估了多核心架構對內(nèi)存帶寬的需求。 其實Rambus退出PC舞臺之后,它又重新歸來,開發(fā)出XDR DRAM新技術。和以前的RDRAM一樣,XDR DRAM在性能上比DDR2存在壓倒性的優(yōu)勢,問題是它要想成功還
吳愧 · 2007-07-27 08:31 - 美國商業(yè)周刊IT排名南亞科技躋身42強
??? 在最新一期的美國商業(yè)周刊(BusinessWeek)中,公布了最新的全球信息技術(Information Technology)百強公司的排名,來自中國臺灣的南亞科技榜上有名,被評選為第42名。?南亞科技榜上有名,被評選為第42名??? 評選標準是根據(jù)標準普爾提供的有關IT企業(yè)的規(guī)模、增長率、盈利能力以及回報率等數(shù)據(jù)進行綜合評分。本次入選IT百強的企業(yè),其營業(yè)收入最低的為每年 3億美元。本
吳愧 · 2007-07-09 07:45 - DDR3內(nèi)存規(guī)范已制定 馬上能全面上市
??? 很多消費者初期對于DDR3內(nèi)存都不抱以多大的期望,就像當初對待DDR2一樣。但是不管怎樣,各大內(nèi)存廠商都看好DDR3內(nèi)存,并積極籌備其產(chǎn)品的推出。近期,來自內(nèi)存標準組織JEDEC的消息稱,目前他們已經(jīng)通過了DDR3標準的認可和制定。JEDEC表示相比于前一代的DDR2和DDR1內(nèi)存,新的DDR3將具備更加廣泛的應用范疇,同時在提高性能和降低功耗方面也會比前代產(chǎn)品更加突出。??? JEDEC
吳愧 · 2007-06-28 08:05