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游戲性能提升43％！市售優(yōu)品內(nèi)存實測

測試標題游戲性能提升43％！市售極品內(nèi)存實測
2005年09月27日 00:01作者：工作狂人編輯：鐘楊文章出處：泡泡網(wǎng)原創(chuàng)
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    UTT是華邦最新推出的DDR內(nèi)存顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似，無論是能夠達到的極限頻率以及工作時序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數(shù)超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。UTT在一點上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無論是雙面還是單面分布超頻性能幾乎相同。

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 過去發(fā)現(xiàn)的采用UTT顆粒的內(nèi)存產(chǎn)品
 
    采用華邦（WINBOND）UTT BH-5顆粒的產(chǎn)品，UTT就是BH-5的改進版不但保持BH-5的低時序的特點而且頻率上限也有了很大的提高。
 
 
 
 
 外包裝的左上角有GEIL ONE W標示，表示采用的華邦芯片
 
 
 外包裝右下角有GEIL ONE字樣，表示金邦GEIL ONE系列

　　露面的ONE系列內(nèi)存，在200MHz/DDR400下，內(nèi)存時序為CL1.5 5-2-2，250MHz/DDR500下為CL2 5-2-2，電壓范圍是2.55v-2.95v，產(chǎn)地是臺灣。這款產(chǎn)品曾在2005臺北Computex展出。

 

 

 

　　在DDR時代，低延遲帶來的性能提升更為顯著。在VR-Zone的一個測試中，Winbond BH5芯片，3.9v 266MHz/DDR533 @ CL2 2-2-2，sandra2005的內(nèi)存帶寬測試達到了8GB/s。目前DDR400/PC3200的最低延遲都是CL2.0，CL1.5內(nèi)存的到來，將更大幅度的提升內(nèi)存的帶寬，讓更多的玩家體驗高性能帶來的快感。

    GOW產(chǎn)品 - GOW5123200DC (256MBX2) , GOW1GB3200DC(512MBX2)
PC3200 DDR 400 CAS 1.5-2-2-5< PC4000 DDR 500 CAS 2-2-2-5

* 雙通道512MB(256MBX2)及1GB (512MBX2 )包裝
* GeIL 篩選的BH-5 UTT 32mx8 DDR 顆粒制成
* 184pin, Non-ECC, Un-buffered DDR DIMM
* 銅鍍鎳白金條散熱片
* 零售包裝
* 終身保固

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