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 金邦DDR2-800 Ultra所采用的Micron D9顆粒

 

    一款內(nèi)存超頻能力如何，我們首先會關(guān)注它所采用的何種內(nèi)存顆粒。小心翼翼的拆掉散熱片，金邦DDR2-800 Ultra內(nèi)存赤裸裸的呈現(xiàn)在人們眼前。熟悉的品牌LOGO，其顆粒第二行的起始編號為D9xxx，沒錯，它就是采用大名鼎鼎的Micron D9顆粒！與DDR時代有口皆碑的的“三星TCCD”、“華邦BH5”一樣，Micron D9正是在DDR2時代涌現(xiàn)出的新一代超頻明星！

 

 

 Micron原廠內(nèi)存——Crucial Ballistix系列

 

    我們最早認(rèn)識Micron D9顆粒應(yīng)該是從Crucial旗下產(chǎn)品開始，對于國內(nèi)大多數(shù)電腦玩家來說這個品牌并不是很熟悉，甚至很容易將“Crucial”與“Corsair（海盜船）”所混淆。事實上，Crucial正是Micron科技旗下的一家子公司，相當(dāng)于Micron的自有內(nèi)存品牌，其產(chǎn)品定位與高端用戶市場。

 

 

 DDR2時代的超頻明星——Micron fatty D9顆粒

 

    也正是由于Crucial與Micron之間的緊密關(guān)系，Crucial最早推出的Ballistix DDR2系列內(nèi)存所采用的“fatty D9顆粒（俗稱”大D9）”，向人們展示Micron DDR2內(nèi)存顆粒強(qiáng)大的超頻潛力，從而在國外各大超頻論壇一炮走紅。大D9顆粒從外觀方面很容易判斷，相對我們常見的DDR2內(nèi)存顆粒身材明顯要長一些。由于采用110nm制程工藝等諸多因素，大D9顆粒本身最大的特點就是十分耐高壓，往往在2.6V甚至更高DIMM電壓的促進(jìn)下，可以將DDR2內(nèi)存頻率以及參數(shù)發(fā)揮到極限，這點似乎很容易讓我們聯(lián)想起在DDR時代大紅大紫的華邦BH-5顆粒。

 

 

 90nm制程工藝后的改良版——Micron 小D9顆粒

 

    隨著DRAM生產(chǎn)制程的改良，目前我們在市場中常見的Micron D9顆粒內(nèi)存均采用90nm工藝，其內(nèi)存顆粒外觀明顯縮小，因此也被廣大電腦發(fā)燒友俗稱為“小D9”。小D9顆粒依然繼承了之前Micron DDR2內(nèi)存強(qiáng)大的超頻特性，不過對于電壓的敏感性稍弱，通常在2.4V電壓附近就可以得出該內(nèi)存顆粒的極限，當(dāng)然這也與不同內(nèi)存品牌所采用的PCB設(shè)計有較大關(guān)系。

 

    目前我們常見的小D9顆粒編號有：“D9GMH”、“D9GCT”、“D9GMG、“D9GKX”等?？傮w來說，各個編號D9顆粒的超頻體質(zhì)相差并不多，通常都可以超頻到DDR2-1000 4-4-4-12這樣的優(yōu)化參數(shù)。