千元之內(nèi)誰(shuí)與爭(zhēng)鋒?羿龍II三核CPU詳評(píng)
● 45nm牽一發(fā)動(dòng)全身：Phenom II技術(shù)解析！
時(shí)至今日，我們等待AMD 45nm處理器已經(jīng)太久了，不過(guò)現(xiàn)在我們終于迎來(lái)了K10.5架構(gòu)的Phenom II處理器。這顆基于45nm工藝制作的處理器依舊延續(xù)之前的“巴塞羅那”架構(gòu)，不過(guò)由于制程和緩存的提升，無(wú)論在功耗還是性能上都有不俗的表現(xiàn)，究竟這顆號(hào)稱性能最高提升35%，功耗最高降低35%的AMD產(chǎn)品有何特別之處呢？讓筆者為大家一一解答。
◎ 1.采用45nm SOI沉浸式光刻制造技術(shù)
AMD的45納米制程工藝是聯(lián)合IBM一同研發(fā)的。有趣的是，與英特爾的高-K金屬柵極不同，AMD和IBM的技術(shù)是超低K電介質(zhì)互聯(lián)。而另兩項(xiàng)相關(guān)技術(shù)分別是：多重增強(qiáng)晶體管應(yīng)變技術(shù)和沉浸式平板印刷術(shù)。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，多空、超低K電介質(zhì)可以降低串聯(lián)電容、降低寫入延遲和能量消耗，從而明顯提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷術(shù)，實(shí)際上就是在激光蝕刻頭的中間加入一種特殊的液體來(lái)修正光的折射，從而讓其在晶圓上更好的刻錄晶體管。用這種工藝設(shè)計(jì)生產(chǎn)的SRAM芯片可獲得大約15％的性能提升。真正解決AMD在 45納米技術(shù)難題的是多重增強(qiáng)晶體管應(yīng)變技術(shù)，AMD和IBM稱，與非應(yīng)變技術(shù)相比，這一新技術(shù)能將P溝道晶體管的驅(qū)動(dòng)電流提高80％，將N溝道晶體管的驅(qū)動(dòng)電流提高24％。
從實(shí)際Phenom II產(chǎn)品來(lái)看，AMD本次的45nm SOI沉浸式光刻制造技術(shù)非常成熟，產(chǎn)品的起跳主頻比較高，輕松的突破了3GHz大關(guān)。通過(guò)之前不少第三方泄露的超頻成績(jī)來(lái)看，基本此技術(shù)的Phenom II可以通過(guò)液氮成功超頻至6G大關(guān)，并順利的運(yùn)行各種游戲。相比較之下，Core i7 965處理器雖然被超頻到5.7G，但是無(wú)法運(yùn)行程序，除去架構(gòu)原因外，AMD處理器在這次的主頻之爭(zhēng)中和英特爾會(huì)上演一場(chǎng)好戲，不會(huì)再讓Intel在超頻中唱獨(dú)角戲。
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