內(nèi)存是怎樣煉成？?jī)?nèi)存工程師研發(fā)手記
電路設(shè)計(jì)和PCB設(shè)計(jì)：正常情況下，DDR2 的PCB都采用六層板設(shè)計(jì)的，而為了穩(wěn)定和超頻性，采用八層板就是更好的選擇，由于多了兩層銅箔面，工程師在設(shè)計(jì)的時(shí)候，走線就相對(duì)容易很多，在考慮干擾，散熱等等因素的時(shí)候，就更容易處理，最后設(shè)計(jì)出來(lái)的東西，也就相對(duì)六層的PCB在使用中，電氣性能要好很多。
但為了保證性能的提升，八成PCB在制作、生產(chǎn)的時(shí)候，工藝的控制和制作的難度就加大了很多，從而造成了生產(chǎn)成本的提升，八層板相對(duì)六層板來(lái)說(shuō)，成本就提高了 20-30% 。
圖：此圖是DDR3的PCB的，未貼裝顆粒和元件前的表面層。
熱穩(wěn)定性設(shè)計(jì)：我們知道，電子產(chǎn)品的損壞實(shí)際上熱損壞，也就是電子的遷移過(guò)程中，引起產(chǎn)品發(fā)熱，最后導(dǎo)致電子不可還原性，而引起產(chǎn)品損壞。并且熱穩(wěn)定性，在產(chǎn)品正常長(zhǎng)時(shí)間使用中也占有很重要的地位，我們知道，電子產(chǎn)品的工作溫度是有一定的限制的，電子產(chǎn)品在25℃左右是工作最穩(wěn)定的。而我們的內(nèi)存在使用的時(shí)候由于大量的數(shù)據(jù)的交換，會(huì)引起IC顆粒的溫度迅速上升，如果單靠IC顆粒表面的空氣的對(duì)流來(lái)散熱，不能很快的將熱量散發(fā)出去。如果我們能增加IC表面的散熱面積的話，就很容易將IC顆粒表面的熱量散發(fā)出去了。
為此，我們?cè)谠O(shè)計(jì)游戲內(nèi)存的時(shí)候，為我們的內(nèi)存增加了純鋁的散熱片，幫助內(nèi)存散去多余的熱量。根據(jù)我們的測(cè)試，內(nèi)存在沒(méi)增加散熱片的時(shí)候，IC顆粒表面的溫度高達(dá) 56℃， 而加上我們專用的散熱片后，溫度降到 44-50℃之間。根據(jù)我們工程大量的試驗(yàn)的結(jié)果可以減少死機(jī)50%的機(jī)會(huì)。
焊接原料和SPD調(diào)教：由于現(xiàn)在世界都在推行環(huán)保，為響應(yīng)這個(gè)對(duì)地球有保護(hù)做用的措施，我們公司所有的產(chǎn)品均采用了無(wú)鉛的工藝進(jìn)行生產(chǎn)。從錫膏的采用，到包裝材料的運(yùn)用都采用的是環(huán)保料。 而這些環(huán)保料的選取，相比比不采用環(huán)保料在生產(chǎn)成本上提高30%。內(nèi)存的原材料，從錫膏、 被動(dòng)元件(電阻，電容) 、IC顆粒、PCB 以及生產(chǎn)過(guò)程中，都采用的是無(wú)鉛的材料。
內(nèi)存的SPD調(diào)教方面，SPD的編寫(xiě)過(guò)程都是經(jīng)過(guò)不同IC的參數(shù)設(shè)置根據(jù)國(guó)際JEDEC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行編寫(xiě)的。在內(nèi)存里機(jī)CL越高則表示延遲時(shí)間越久，同頻率的內(nèi)存CL值越低就表示性能越好。比如說(shuō)：DDR2 800的產(chǎn)品中: CL為: 4-4-4的就比 CL:5-5-5的更好。不過(guò)內(nèi)存實(shí)際參數(shù)要比我們通常說(shuō)的CL值或者BIOS中調(diào)節(jié)的值多得多，怎樣在這些數(shù)據(jù)中取得最優(yōu)異的成績(jī)是各個(gè)廠家的技術(shù)機(jī)密。我們?cè)谶@方面也有獨(dú)到之處，在本文中就不詳加表述了。
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