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踏IDF七彩祥云!Ivy Bridge處理器前瞻

    3D Tri-Gate工藝使用一個薄得不可思議的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極,形象地說就是從硅基底上站了起來,這種全新設計帶來了硅芯片的重大突破。

Intel發(fā)明3D晶體管技術 22nm工藝采用

32nm二維晶體管設計(左)與22nm三維晶體管設計(右)

Intel發(fā)明3D晶體管技術 22nm工藝采用

3D Tri-Gate工藝突破了傳統(tǒng)二維晶體管限制

    從上面的示意圖上可以看出,硅鰭片的三個面都安排了一個柵極,其中兩側各一個、頂面一個,用于輔助電流控制,而2-D二維晶體管只在頂部有一個。這樣設計的好處之一便是可以突破傳統(tǒng)二維晶體管限制,從而在更小的體積內(nèi)塞入更多晶體管,以設計出更高性能的產(chǎn)品。

Intel發(fā)明3D晶體管技術 22nm工藝采用

3D Tri-Gate工藝使得CPU工作在更低電壓下

    3D Tri-Gate工藝帶來的另一大好處就是可以顯著降低芯片的功耗,盡管Ivy Bridge在更小的面積增加了更多晶體管,但是它的功耗卻明顯降低,這得益于3D Tri-Gate工藝帶來的漏電率降低,閾值電壓大幅下降,晶體管可以工作在更低的電壓下,這使得22nm的Ivy Bridge相比32nm的Sandy Bridge核心電壓降低了0.2V。

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