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前有古人后有來(lái)者! "膠水"處理器回顧

   總結(jié)：“膠水”技術(shù)應(yīng)用處理器未來(lái)也會(huì)很廣泛

　最后，我們可以感受到，一些國(guó)際大廠為何要在最王牌尖端的芯片產(chǎn)品上使用我們俗稱的MCM“膠水”技術(shù)，其實(shí)有時(shí)候膠水技術(shù)也未必是落后的象征，只是針對(duì)的實(shí)現(xiàn)目的方法而已：

　1.實(shí)現(xiàn)更高的芯片間傳輸性能－例如Intel Pentium Pro是為了性能而嵌入L2 Cache，或如Microsoft/ATI Xenos也是為求取性能而內(nèi)嵌eDRAM，此外IBM大型主機(jī)用處理器，以及POWER4/4+/5/5+等，也都是為了性能而使用MCM“膠水”技術(shù)，求性能為首要，整合度更提升則為次要。

　2.更高整合、多核競(jìng)賽－Intel為求在雙核、多核的推出進(jìn)度上能夠加快，因此三步并兩步來(lái)加緊追趕，如此不僅使用裸晶層面的多核整合技術(shù)，同時(shí)也使用封裝層面的多核整合技術(shù)。

　3.為求彈性、快速發(fā)展－Xenos之所以實(shí)行嵌入式eDRAM的原因還有一個(gè)，那就是彈性發(fā)展、加速發(fā)展。由于eDRAM技術(shù)并非是ATI的專長(zhǎng)，而是NEC的強(qiáng)項(xiàng)，雖然ATI與NEC可以更密切合作，在裸晶層面就將eDRAM與C1一同設(shè)計(jì)，進(jìn)而量產(chǎn)，但如此做也有部份問(wèn)題要顧慮。例如，ATI與NEC必須花費(fèi)更多的協(xié)同合作心力，特別是在實(shí)體電路的設(shè)計(jì)層面，且在更換實(shí)體電路制程時(shí)，雙方就必須再次對(duì)實(shí)體電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行再協(xié)同溝通與再設(shè)計(jì)。再者，除了設(shè)計(jì)協(xié)同與電路改版等溝通心力外，也會(huì)羈絆雙方在原先自有領(lǐng)域的發(fā)展進(jìn)度，使原有自己擅長(zhǎng)的本務(wù)進(jìn)步動(dòng)力減緩，反而使其他同業(yè)有機(jī)會(huì)追趕。

　所以，還是以各自分開設(shè)計(jì)與分開發(fā)展為宜，最后再運(yùn)用MCM封裝方式來(lái)加速互連，以獲得比PCB電路板層次更高的性能，但又有Die裸晶層次所不具備的發(fā)展、設(shè)計(jì)彈性。如此很明顯的：MCM將是整合度、互連性能高于板卡層，但電路發(fā)展與設(shè)計(jì)彈性又高于裸晶層的一種技術(shù)，相信未來(lái)此種技術(shù)的應(yīng)用將愈來(lái)愈廣泛?！?/P>