手機和平板的芯:ARM處理器前身今世
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隨著工藝以及技術(shù)的發(fā)展,ARM也在與時俱進,從ARM926最早采用180nm工藝,而不久后基于Cortex A15的芯片將搭載全新的28nm工藝,晶體管密度提升不知多少倍,另外工藝的演進,相應(yīng)的能效也在不斷提高。
目前主流的Cortex A系列ARM規(guī)格
從上圖我們發(fā)現(xiàn)早期的ARM926由于工藝和技術(shù)的顯示,Dhrystone性能只有1.1 DIMPS/MHz,另外收到工藝的限制,早期的ARM926采用了180nm工藝,頻率設(shè)計最高只有200MHz,嚴重制約了性能的提升,而目前的Cortex A9最多可集成4個內(nèi)核,單顆內(nèi)核的Dhrystone性能達到了2.5 DIMPS/MHz,提升了1倍多,另外Cortex A9普遍采用了65nm或40nm工藝,頻率也得到極大提升,性能優(yōu)化后的雙核Cortex A9頻率可達2GHz,提升幅度達10倍。
移動互聯(lián)網(wǎng)逐漸朝一體化趨勢發(fā)展
相信隨著工藝和技術(shù)的不斷發(fā)展,ARM性能達到主流PC性能也不是問題。ARM精簡的指令集使得運算也更加高效,更具市場競爭力,ARM處理器可以實現(xiàn)較高性能、較小代碼大小、較低功耗和較小硅面積的良好平衡,使得移動互聯(lián)網(wǎng)時代漸趨成熟。■<
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