滄海桑田話存貯 內(nèi)存/顯存發(fā)展編年史
泡泡網(wǎng)顯卡頻道6月17日 過(guò)去的十年是信息爆炸的時(shí)代，也許在座的各位還不能真正意識(shí)到信息爆炸的程度，曾經(jīng)有人開玩笑說(shuō)現(xiàn)在現(xiàn)在一份早報(bào)上記錄的信息量相當(dāng)于50年前一位法國(guó)農(nóng)民終生需要的信息。這個(gè)說(shuō)法雖然無(wú)法科學(xué)考證，但卻從側(cè)面反應(yīng)了一個(gè)亙古未見(jiàn)的事實(shí)：電腦和互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展讓信息資訊空前爆發(fā)，回顧歷史長(zhǎng)河，我們可以為見(jiàn)證這個(gè)巨變而自豪。
前面兩期文章我們分別介紹了顯卡的輸出接口演變和核心架構(gòu)進(jìn)化，揭露了看似平靜的產(chǎn)業(yè)背后的勾心斗角，而這一期我們則穿越時(shí)空回到20年前，見(jiàn)證這段存貯技術(shù)發(fā)展的傳奇……
● 混沌未開：內(nèi)存的前世
與現(xiàn)在一個(gè)指甲蓋大小的芯片就能裝下整個(gè)圖書館的信息不同，在計(jì)算機(jī)誕生初期存貯信息可是不折不扣的“體力活”，當(dāng)時(shí)還不存在內(nèi)存條的概念，最早的“內(nèi)存”是以磁芯的形式排列在線路上，每個(gè)磁芯與晶體管組成的一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路作為一比特（BIT)的存儲(chǔ)器,每一比特都要有玉米粒大小，這意味著一間的機(jī)房只能容納區(qū)區(qū)數(shù)百k字節(jié)的容量。
大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)讓這種情況得到終結(jié)，隨著制造工藝的科技化，出現(xiàn)了焊接在主板上集成內(nèi)存芯片，以內(nèi)存芯片的形式為計(jì)算機(jī)的運(yùn)算提供直接支持。“內(nèi)存”才有像現(xiàn)代的內(nèi)存的影子了，但那時(shí)的內(nèi)存芯片容量依然非常寒磣，最常見(jiàn)的莫過(guò)于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，這已然是劃時(shí)代的進(jìn)步了，相對(duì)于那時(shí)的運(yùn)算任務(wù)來(lái)說(shuō)也足堪重任了。
● 合久必分：內(nèi)存條的誕生
這種“內(nèi)存芯片”一直沿用到286初期，鑒于它存在著無(wú)法拆卸更換的弊病，這對(duì)于計(jì)算機(jī)的發(fā)展造成了現(xiàn)實(shí)的阻礙。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計(jì)好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽，這樣就把內(nèi)存難以安裝和更換的問(wèn)題徹底解決了。這就是我們現(xiàn)在常見(jiàn)的“內(nèi)存條”。
在80286主板剛推出的時(shí)候，內(nèi)存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗(yàn)位組成1 個(gè)bank，正因如此，我們見(jiàn)到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進(jìn)入民用市場(chǎng)一直到現(xiàn)在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。
30pin和72pin的SIMM內(nèi)存
隨后，在1988 ～1990 年當(dāng)中，PC 技術(shù)迎來(lái)另一個(gè)發(fā)展高峰，也就是386和486時(shí)代，此時(shí)CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無(wú)法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時(shí)72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了，72pin SIMM支持32bit快速頁(yè)模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時(shí)使用，由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無(wú)法兼容，因此這個(gè)時(shí)候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。
不同規(guī)格的EDO DRAM
EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外擴(kuò)充數(shù)據(jù)模式存儲(chǔ)器）內(nèi)存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條，EDO DRAM同F(xiàn)PM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速頁(yè)面模式存儲(chǔ)器）極其相似，它取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時(shí)去訪問(wèn)下一個(gè)頁(yè)面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應(yīng)用在當(dāng)時(shí)的486及早期的Pentium電腦上。
在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個(gè)尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時(shí)EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實(shí)上EDO 內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇，不過(guò)它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時(shí)單條EDO 內(nèi)存的容量已經(jīng)達(dá)到4 ～16MB 。由于Pentium及更高級(jí)別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM與FPM DRAM都必須成對(duì)使用。
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