滄海桑田話存貯 內(nèi)存/顯存發(fā)展編年史
● SDR+DDR1/2/3和GDDR1/2/3/4/5全系列規(guī)格參數(shù)匯總：
● 顯存引領(lǐng)DRAM發(fā)展，未來內(nèi)存將以顯存為藍本開發(fā)
縱觀近年來內(nèi)存與顯存的發(fā)展，就會發(fā)現(xiàn)顯存的發(fā)展速度已經(jīng)遠遠超越了內(nèi)存，顯存帶寬幾乎達到了內(nèi)存帶寬的10倍之多，而且這個差距還在不斷的加大。目前三通道DDR3已經(jīng)足夠桌面CPU用好一陣子了，而GPU對顯存帶寬的渴求似乎是個永遠都填不滿的無底洞。
正因為如此，顯存逐漸脫離了內(nèi)存的發(fā)展軌跡，在經(jīng)過幾次并不成功的嘗試之后，從內(nèi)存的配角/附屬品，開始走向了反客為主的道路。GDDR2提前DDR2近兩年、GDDR4提前DDR3一年多，雖然都以失敗而告終，但卻為GDDR5的成功打下了堅實的基礎(chǔ)。
即將到來的DDR4時代
在內(nèi)存領(lǐng)域，如今DDR3才剛剛站穩(wěn)腳跟，至少將統(tǒng)治PC兩至三年，但DDR4的標準已經(jīng)在積極制定當中，起步頻率降至1.2V，而頻率提升至2133MHz，次年進一步將電壓降至1.0V，頻率則實現(xiàn)2667MHz。在內(nèi)存帶寬并不緊張的情況下，成本控制和低碳節(jié)能應該是DDR4的首要目標。
而據(jù)此前消息透露，新一代的DDR4內(nèi)存可能會擁有兩種規(guī)格。根據(jù)多位半導體業(yè)界相關(guān)人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會是Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號)方式DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù) )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認。預計這兩個標準將會推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時代我們可能會看到兩個互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品?！?
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