從AMD K8L架構(gòu)說(shuō)起 揭開(kāi)DDR3神秘面紗
隨著本周Computex 2006在中國(guó)臺(tái)北開(kāi)幕，眾多新奇IT產(chǎn)品齊聚一堂，真是另我們眼花繚亂。其中包括威剛、Elixir在內(nèi)知名內(nèi)存廠商更是將最尖端DDR3內(nèi)存展出亮相，極限頻率竟然可以運(yùn)行在1600MHz！在感嘆內(nèi)存技術(shù)飛速進(jìn)步的同時(shí)，另一方面很容易讓我們與AMD剛剛公布的下一代K8L架構(gòu)聯(lián)系到一起，似乎在內(nèi)存規(guī)范方面，AMD這次終于走在了Intel前面。DDR3內(nèi)存強(qiáng)在哪里？會(huì)在短期內(nèi)成為主流嗎？那么下面，便讓我們帶您來(lái)揭開(kāi)DDR3內(nèi)存的神秘面紗。
Elixir DDR3內(nèi)存模組亮相Computex 2006目前JEDEC所公布之DDR與DDR2 PCB公板皆采用六層板之設(shè)計(jì) (non ECC U-DIMM)，但因DDR2采FBGA封裝，故PCB鉆孔數(shù)(Via)會(huì)增加，此外、BGA之球距(pitch)要有良好的控制以及PCB電測(cè)之難度將提高，以上等等因素都會(huì)反映在模塊的成本結(jié)構(gòu)上，以目前DDR2 PCB之報(bào)價(jià)相較DDR PCB之報(bào)價(jià)多約30%~40%，未來(lái)PCB成本增加也發(fā)生在DDR3世代上。
問(wèn)：顯卡上都是3.3ns、2.8ns的顆粒，那為什么內(nèi)存顆粒5ns基本上已經(jīng)是極限了呢？顯卡已經(jīng)放棄了發(fā)熱量大，功耗高的DDR2顆粒，而改用發(fā)熱量小，功耗更低的DDR3，但為什么內(nèi)存卻要向著DDR2發(fā)展呢？
當(dāng)前流行的136pin封裝GDDR3顯存顆粒答：內(nèi)存（顯存）顆粒的頻率主要由兩方面決定：一是工藝制程，頻率越高要求工藝越嚴(yán)格，相應(yīng)的成本也會(huì)提高；二是布線的結(jié)構(gòu)，布線越長(zhǎng)，電磁干擾也就越大，越不利于頻率的提高。綜合成本和結(jié)構(gòu)兩方面的考慮，顯存顆粒的速度要明顯快于內(nèi)存顆粒。顯卡使用的高速顯存GDDR是一種專門(mén)針對(duì)顯卡的DDR內(nèi)存，它是“Graphics Double Data Rate DRAM”的縮寫(xiě)。
GDDR2是基于DDR2構(gòu)建的顯存，但是由于工作電壓高（2.5V）、功耗較大而被很快淘汰，其的繼任者GDDR3同樣也是基于DDR2構(gòu)建，所不同的是工作電壓降為1.8V，功耗更小。
關(guān)注我們
