從AMD K8L架構(gòu)說(shuō)起 揭開DDR3神秘面紗
● DDR3內(nèi)存有何具體特點(diǎn)
早在2002年6月28日,JEDEC就宣布開始開發(fā)DDR3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),但從目前的情況來(lái)看,DDR2才剛開始普及,DDR3標(biāo)準(zhǔn)更是連影也沒(méi)見到。不過(guò)目前已經(jīng)有眾多廠商拿出了自己的DDR3解決方案,紛紛宣布成功開發(fā)出了DDR3內(nèi)存芯片,從中我們仿佛能感覺到DDR3臨近的腳步。而從已經(jīng)有芯片可以生產(chǎn)出來(lái)這一點(diǎn)來(lái)看,DDR3的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)工作也已經(jīng)接近尾聲。
半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)測(cè)DDR3內(nèi)存將會(huì)在2008年替代DDR2成為市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品,iSuppli認(rèn)為在那個(gè)時(shí)候DDR3的市場(chǎng)份額將達(dá)到55%。不過(guò),就具體的設(shè)計(jì)來(lái)看,DDR3與DDR2的基礎(chǔ)架構(gòu)并沒(méi)有本質(zhì)的不同。從某種角度講,DDR3是為了解決DDR2發(fā)展所面臨的限制而催生的產(chǎn)物。
DDR2 800等效于PC2-6400
由于DDR2的數(shù)據(jù)傳輸頻率發(fā)展到800MHz時(shí),其內(nèi)核工作頻率已經(jīng)達(dá)到200MHz,因此再向上提升較為困難,這就需要采用新的技術(shù)來(lái)保證速度的可持續(xù)發(fā)展性。另一方面,也是由于速度提高的緣故,內(nèi)存的地址/命令與控制總線需要有全新的拓樸結(jié)構(gòu),而且業(yè)界也要求內(nèi)存要具有更低的能耗,所以,DDR3要滿足的需求就是:
1、更高的外部數(shù)據(jù)傳輸率
2、更先進(jìn)的地址/命令與控制總線的拓樸架構(gòu)
3、在保證性能的同時(shí)將能耗進(jìn)一步降低
4、為了滿足上述要求,DDR3在DDR2的基礎(chǔ)上采用了以下新型設(shè)計(jì):
8bit預(yù)取設(shè)計(jì),DDR2為4bit預(yù)取,這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz,采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu),減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。
采用100nm以下的生產(chǎn)工藝,將工作電壓從1.8V降至1.5V,增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能。
下面我們通過(guò)DDR3與DDR2的對(duì)比,來(lái)更好的了解這一未來(lái)的DDR SDRAM家族的最新成員。
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