內(nèi)存之路在何方?DDR4代最新技術(shù)解讀
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泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道3月20日 三星電子公司宣布在上個(gè)月,已經(jīng)完成了業(yè)界第一個(gè)DDR4內(nèi)存模塊的研發(fā)工作,并且使用30nm制程技術(shù)完成制作出樣品。新DDR4內(nèi)存模塊可以在電壓只有1.2伏特的情況下,達(dá)到2133MHz的運(yùn)行速率,而且借助新的回路架構(gòu),DDR4可以上超3200MHz,三星說最終能達(dá)到4G。相較于DDR3,從低電壓版的1.35V到正常電壓的1.5V,在節(jié)能方面可以節(jié)省40%!
三星表示,這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“Pseudo Open Drain”(虛擬開漏極)技術(shù),在讀取、寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。
三星繼成功研發(fā)出DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存后,現(xiàn)在又搶先推出DDR4,雖然DDR4的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格仍未定案,但是三星已經(jīng)和多家內(nèi)存廠商連手,幫助JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)“制訂”DDR4的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。JEDEC預(yù)計(jì)在2011年完成DDR4內(nèi)存規(guī)范的制定工作,2012年開始商用,超過DDR3而成為主流規(guī)格則可能要等到2015年。
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