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內(nèi)存之路在何方？DDR4代最新技術(shù)解讀

    早在日本東京舉行的MemCon 2010大會(huì)上，US Modular公司工程副總裁、JEDEC董事會(huì)成員Bill Gervasi介紹說(shuō)，DDR4內(nèi)存的有效運(yùn)行頻率初步設(shè)定在2133-4266MHz之間，運(yùn)行電壓則會(huì)進(jìn)一步降低至1.2V、1.1V，甚至還可能會(huì)有1.05V的超低壓節(jié)能版，生產(chǎn)工藝預(yù)計(jì)首批采用36nm或者32nm。 

內(nèi)存頻率規(guī)格路線圖

內(nèi)存電壓規(guī)格路線圖

高容量?jī)?nèi)存的解決方法

    很顯然，這都是一年前的老消息了，09年的時(shí)候可是有媒體傳言我們2011年就能用上DDR4內(nèi)存了。那么現(xiàn)在DDR4內(nèi)存的規(guī)則制定成什么樣了呢？

DDR4內(nèi)存規(guī)格預(yù)測(cè)圖

    JEDEC預(yù)計(jì)在2011年完成DDR4內(nèi)存規(guī)范的制定工作，2012年開(kāi)始商用，超越DDR3而成為主流規(guī)格則可能要等到2015年。