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內(nèi)存之路在何方？DDR4代最新技術(shù)解讀

    從早期的SDR內(nèi)存到現(xiàn)在的DDR3內(nèi)存，內(nèi)存的技術(shù)不但變化，內(nèi)存的電壓降了不少，工藝也提升了不少，但是內(nèi)部的運行頻率變化基本沒有什么變化。

不同時代內(nèi)存頻率、電壓、功耗關(guān)系圖

DRAM內(nèi)存總體規(guī)格路線圖 

DRAM制造工藝路線圖 

DRAM內(nèi)存單元頻率和循環(huán)時間關(guān)系圖 

    目前Intel與AMD的CPU產(chǎn)品都在內(nèi)部整合了內(nèi)存控制器，如果DDR4問世，那么CPU必須要變化，新的信號傳輸方式甚至?xí)餋PU接口的轉(zhuǎn)變，而與之配合的主板產(chǎn)品亦會應(yīng)為生產(chǎn)線的更新而大幅提升成本。到時候采用DDR4內(nèi)存的電腦無疑還是會像i7+X58+DDR剛剛問世時一樣——成為個別有米一族的玩物。 ■     <