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內(nèi)存之路在何方？DDR4代最新技術(shù)解讀

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道3月20日 三星電子公司宣布在上個月，已經(jīng)完成了業(yè)界第一個DDR4內(nèi)存模塊的研發(fā)工作，并且使用30nm制程技術(shù)完成制作出樣品。新DDR4內(nèi)存模塊可以在電壓只有1.2伏特的情況下，達(dá)到2133MHz的運(yùn)行速率，而且借助新的回路架構(gòu)，DDR4可以上超3200MHz，三星說最終能達(dá)到4G。相較于DDR3，從低電壓版的1.35V到正常電壓的1.5V，在節(jié)能方面可以節(jié)省40%！

    三星表示，這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“Pseudo Open Drain”(虛擬開漏極)技術(shù)，在讀取、寫入數(shù)據(jù)的時候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。

    三星繼成功研發(fā)出DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存后，現(xiàn)在又搶先推出DDR4，雖然DDR4的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格仍未定案，但是三星已經(jīng)和多家內(nèi)存廠商連手，幫助JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會“制訂”DDR4的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。JEDEC預(yù)計在2011年完成DDR4內(nèi)存規(guī)范的制定工作，2012年開始商用，超過DDR3而成為主流規(guī)格則可能要等到2015年。