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內(nèi)存之路在何方?DDR4代最新技術(shù)解讀

    從DDR、DDR2到如今的DDR3,在提升頻率、降低電壓的同時(shí),延遲也在不斷變大。未來(lái)的DDR4帶來(lái)的變化可能會(huì)變得更大。根據(jù)日本PCWatch專欄作家後藤弘茂分析稱,DDR4時(shí)代每個(gè)內(nèi)存通道只會(huì)支持一條內(nèi)存模組,目前的多點(diǎn)總線將會(huì)被點(diǎn)對(duì)點(diǎn)技術(shù)所取代。這樣導(dǎo)致的直接后果是系統(tǒng)可用內(nèi)存條數(shù)量、容量都將受到影響。

    其實(shí)之前也有很多很多廠商推出了高容量的內(nèi)存,例如去年三星曾經(jīng)推出過(guò)一款32GB的服務(wù)器內(nèi)存,由于采用多點(diǎn)總線技術(shù)可以在單個(gè)通道上無(wú)限制的怎么內(nèi)存的顆粒數(shù)量,因?yàn)樗麄冎恍韫猛煌ǖ郎系目偩€就可以了,當(dāng)然考慮到內(nèi)存體積的大小以及型號(hào)傳輸?shù)难舆t和干擾,內(nèi)存顆粒數(shù)量還是會(huì)限制在一定的范圍內(nèi)。

DDR4內(nèi)存解析

三星去年發(fā)布的32GB內(nèi)存

DDR4內(nèi)存解析

大容量?jī)?nèi)存多顆粒共用一個(gè)內(nèi)存通道 

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