三通道+DDR3能普及嗎?內(nèi)存變革進(jìn)行時(shí)
在測試3通道內(nèi)存性能前，筆者有必要介紹下內(nèi)存的發(fā)展史。DDR內(nèi)存作為近十年來最為重要的內(nèi)存技術(shù)，想當(dāng)初，一個(gè)傳奇版的技術(shù)差點(diǎn)就被intel扼殺在搖籃中，要不是當(dāng)年鼎盛時(shí)期的威盛力主和當(dāng)時(shí)低下的生產(chǎn)工藝，也許現(xiàn)在我們使用的內(nèi)存就將不是DDRX（X=1、2、3、4），而是Rambus以及后續(xù)產(chǎn)品了。
當(dāng)時(shí)的電腦系統(tǒng)中，內(nèi)存帶寬是除硬盤外的最大瓶頸，各芯片級廠商也共商提高內(nèi)存性能的方法，一方是以威盛為代表的守舊派，一方是以革新內(nèi)存架構(gòu)的intel。當(dāng)時(shí)的局面類似于HDDVD于blu-ray的對決，但結(jié)果卻是截然相反的。
DDR內(nèi)存中的優(yōu)品—海盜船XMS
以更先進(jìn)技術(shù)出現(xiàn)的Rambus雖然看上去很好，但是授權(quán)費(fèi)和內(nèi)存芯片廠初期的建廠成本導(dǎo)致的高價(jià)格，以及威盛主流芯片組的大賣特賣，將Rambus推向深淵，最終intel也不得不放棄Rambus轉(zhuǎn)而支持DDR內(nèi)存?？梢哉f，現(xiàn)在內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展方向，和當(dāng)時(shí)威盛芯片組有很大關(guān)系，但也正是基于此，得罪了intel，為日后的失敗種下了禍根。在intel取消芯片技術(shù)交差授權(quán)后，nvidia在芯片組領(lǐng)域的崛起（AMD平臺），現(xiàn)在的威盛不得不在其它領(lǐng)域謀求發(fā)展。
小貼士：DDR-SDRAM：DDR SDRAM（Double Data Rate DRAM）或稱之為SDRAMⅡ，由于DDR在時(shí)鐘的上升及下降的邊緣都可以傳輸資料，從而使得實(shí)際帶寬增加兩倍，大幅提升了其性能／成本比。就實(shí)際功能比較來看，由PC133所衍生出的第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時(shí)鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸＝266MHz帶寬），不僅在InQuest最新測試報(bào)告中顯示其性能平均高出Rambus 24.4％，在Micron的測試中，其性能亦優(yōu)于其他的高頻寬解決方案，充份顯示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。
傳輸模式：傳統(tǒng)SDRAM采用并列數(shù)據(jù)傳輸方式，Rambus則采取了比較特別的串行傳輸方式。在串行的傳輸方式之下，資料信號都是一進(jìn)一出，可以把數(shù)據(jù)帶寬降為16bit，而且可大幅提高工作時(shí)鐘頻率（400MHz），但這也形成了模組在數(shù)據(jù)傳輸設(shè)計(jì)上的限制。也就是說，在串接的模式下，如果有其中一個(gè)模組損壞、或是形成斷路，便會使整個(gè)系統(tǒng)無法正常開機(jī)。因此，對采用Rambus內(nèi)存模組的主機(jī)板而言，便必須將三組內(nèi)存擴(kuò)充插槽完全插滿，如果Rambus模組不足的話，只有安裝不含RDRAM顆粒的中繼模組（Continuity RIMM Module；C-RIMM），純粹用來提供信號的串接工作，讓數(shù)據(jù)的傳輸暢通。
關(guān)注我們
