三通道+DDR3能普及嗎?內(nèi)存變革進(jìn)行時(shí)
● DDR3與DDR2的不同之處
1、邏輯Bank數(shù)量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對(duì)未來(lái)大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個(gè)，另外還為未來(lái)的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。
2、封裝（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會(huì)有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。
3、尋址時(shí)序（Timing）
就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0至4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。
4、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專門準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界已經(jīng)很早以前就要求增這一功能，如今終于在DDR3身上實(shí)現(xiàn)。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有的操作，并切換至最少量活動(dòng)的狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所以有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉。所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。
5、根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
為了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失，DRAM必須定時(shí)進(jìn)行刷新，DDR3也不例外。不過(guò)，為了最大的節(jié)省電力，DDR3采用了一種新型的自動(dòng)自刷新設(shè)計(jì)（ASR，Automatic Self-Refresh）。當(dāng)開(kāi)始ASR之后，將通過(guò)一個(gè)內(nèi)置于DRAM芯片的溫度傳感器來(lái)控制刷新的頻率，因?yàn)樗⑿骂l率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過(guò)DDR3的ASR是可選設(shè)計(jì)，并不見(jiàn)得市場(chǎng)上的DDR3內(nèi)存都支持這一功能，因此還有一個(gè)附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。通過(guò)模式寄存器，可以選擇兩個(gè)溫度范圍，一個(gè)是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個(gè)是擴(kuò)展溫度范圍，比如最高到95℃。對(duì)于DRAM內(nèi)部設(shè)定的這兩種溫度范圍，DRAM將以恒定的頻率和電流進(jìn)行刷新操作。
6、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
這是DDR3的一個(gè)可選項(xiàng)，通過(guò)這一功能，DDR3內(nèi)存芯片可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產(chǎn)生的電力消耗。這一點(diǎn)與移動(dòng)型內(nèi)存（Mobile DRAM）的設(shè)計(jì)很相似。
從技術(shù)角度上看，DDR3內(nèi)存確實(shí)比DDR2改進(jìn)不少，自身?xiàng)l件已經(jīng)達(dá)到普及的標(biāo)準(zhǔn)。但是如果要更好的發(fā)展還要外部支持才行。
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