玩的是擦邊球!獨(dú)家盤點(diǎn)CPU"騙局"事件
《膠水內(nèi)存控制器》：32nm新i3/i5內(nèi)存性能低原因！
事件回放
早在N年前，AMD就已經(jīng)在其處理器中整合了內(nèi)存控制器，而英特爾當(dāng)時(shí)宣稱，將依靠緩存戰(zhàn)勝AMD，并放出話來(lái)：“沒(méi)人會(huì)根據(jù)是否整合內(nèi)存控制器來(lái)決定要不要購(gòu)買某一種處理器的?！比欢?，一系列的評(píng)測(cè)和應(yīng)用案例強(qiáng)有力的證明了AMD的明智舉措，使得英特爾長(zhǎng)期以來(lái)在牽扯到內(nèi)存控制的應(yīng)用上不如AMD。
如今，在DDR3內(nèi)存即將作為DDR2的接班人進(jìn)入市場(chǎng)的前夕，英特爾終于在45nm Nehalem處理器里集成了內(nèi)存控制器。并且英特爾的整合內(nèi)存控制器，可以支持3通道的DDR3內(nèi)存運(yùn)行在1.33GT/s，這樣總共的峰值帶寬就可以達(dá)到32GB/s。可以料想，這種改進(jìn)將給英特爾帶來(lái)巨大的性能提升，從而在AMD最后一個(gè)優(yōu)勢(shì)壁壘上鑿開(kāi)門路。
然而，在最新的32nm新酷睿i3/i5的臨近測(cè)試階段，新的問(wèn)題又誕生了，為什么多方測(cè)試過(guò)后，新32nm酷睿的內(nèi)存性能相比45nm酷睿i5要明顯落后，排除一切原因后，我們發(fā)現(xiàn)問(wèn)題出在內(nèi)存控制器上。
事件深入
作為Intel的第一款32nm工藝芯片、首次CPU與GPU二合一的新品，Clarkdale處理器一直備受關(guān)注。最新消息顯示，Clarkdale雖然同樣基于Nehalem架構(gòu)，但其內(nèi)存控制器卻是來(lái)源于現(xiàn)有芯片組G45。
很明顯Clarkdale Core i3/i5內(nèi)存控制器并非CPU原生整合
我們知道，Intel 4系列芯片組仍然是集成內(nèi)存控制器的，而Clarkdale就直接把G45里的內(nèi)存控制器拿了過(guò)來(lái)，并進(jìn)行了相應(yīng)改進(jìn)，和Core i7(三通道)、Lynnfield Core i5(雙通道)的并不相同。當(dāng)然，它們都是支持DDR3內(nèi)存的，而且Clarkdale同樣要搭配5系列芯片組(自然不再集成內(nèi)存控制器)。
事件結(jié)果
雖然新酷睿i3/i5一直打著全整合的口號(hào)，但是在內(nèi)存控制器上卻整合的讓人大跌眼鏡，原來(lái)膠水內(nèi)存控制器也算是整合，這種以點(diǎn)代面的說(shuō)法，多少會(huì)有些欺騙行為，新32nm酷睿i3/i5依靠先進(jìn)工藝把北橋放進(jìn)了CPU內(nèi)，但僅僅是放了進(jìn)去，說(shuō)白了就是新i3/i5雙核=高端雙核+G45的組合，內(nèi)存控制器依舊來(lái)自北橋并非直連CPU，所謂的內(nèi)置內(nèi)存控制器，相比其自家的45nm i5/i7產(chǎn)品只是同種說(shuō)法、兩種答案。
《膠水內(nèi)存控制器》“騙局”手段：新酷睿i3/i5內(nèi)存控制器和G45相同
《膠水內(nèi)存控制器》“欺騙”指數(shù)：★★★★
總結(jié)：
世界之大，無(wú)奇不有。在IT的世界里，往往不要被眼前的事物所迷惑，騙局無(wú)處不在，有無(wú)傷大雅的，也有掀起波瀾的，CPU騙局事件中告訴我們，高科技更是陷阱無(wú)處不在，農(nóng)民工也能“造”出CPU，那還有什么是不可能的呢？本篇文章純屬娛樂(lè)，旨在揭露CPU使用中存在的一些潛在事實(shí)與現(xiàn)象?！?/SPAN>關(guān)注我們
