千項(xiàng)數(shù)據(jù)達(dá)成！DDR3內(nèi)存深度對(duì)比測(cè)試
在介紹內(nèi)存性能之前，還是讓我們先明白一個(gè)概念，我們?cè)谇懊嬉呀?jīng)提到了影響內(nèi)存性能的因素包括內(nèi)存頻率、內(nèi)存時(shí)序以及另外一些時(shí)序參數(shù)。內(nèi)存頻率我們很好理解，就是內(nèi)存工作的頻率，而頻率的直接結(jié)果就是理論內(nèi)存?zhèn)鬏攷?，那么?nèi)存時(shí)序就是內(nèi)存延遲嗎？答案是否定的。
內(nèi)存時(shí)序是內(nèi)存延遲的重要因素，另外內(nèi)存頻率也會(huì)影響到內(nèi)存的延遲，內(nèi)存頻率和內(nèi)存延遲成反比，例如相同時(shí)序下DDR3 800的延遲基本是DDR3 1600的兩倍，當(dāng)然這只是理論數(shù)值，實(shí)際延遲有所不同。
無(wú)論是延遲還是傳輸帶寬都會(huì)影響應(yīng)用程序的性能發(fā)揮，簡(jiǎn)而言之就是內(nèi)存的性能。在AIDA64內(nèi)存帶寬和延遲測(cè)試中，選取的三部分?jǐn)?shù)據(jù)：內(nèi)存讀取帶寬、內(nèi)存寫入帶寬和內(nèi)存延遲，算得上是內(nèi)存實(shí)際傳輸性能的原始寫照。
首先看下讀取性能和寫入性能，內(nèi)存頻率的影響我們就不再贅述了，而內(nèi)存時(shí)序的影響實(shí)際也是一筆非?？捎^的數(shù)字，例如低時(shí)序的DDR3 1600 6-6-6幾乎和DDR3 1866 11-11-11相媲美，而接下來的DDR3 1866 7-7-7已經(jīng)超越了部分DDR3 2133的內(nèi)存時(shí)序成績(jī)，表現(xiàn)非常搶眼。寫入方面由于數(shù)據(jù)比較離奇就無(wú)法為大家解釋了。
接下來的延遲測(cè)試部分，可以看到盡管隨著頻率的提升，整體內(nèi)存時(shí)序都出現(xiàn)了上升，但是依靠較高的頻率，高頻率內(nèi)存依然獲得了最低的延遲。我們?nèi)我獬槿?nèi)存時(shí)序相同的兩組數(shù)據(jù)--DDR3 2133 9-9-9和DDR3 1066 9-9-9，它們的頻率剛好相差一倍，最終它們的實(shí)際延遲分別為35.4ns和56.3ns，延遲降低了近60%。
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