千項(xiàng)數(shù)據(jù)達(dá)成！DDR3內(nèi)存深度對(duì)比測(cè)試
簡(jiǎn)要看完DDR3內(nèi)存的時(shí)序和SPD信息后，接下來就開始正式的測(cè)試，我們知道JEDEC官方的DDR3內(nèi)存頻率只有DDR3 1066、1333和1600MHz，現(xiàn)在的內(nèi)存基本都是1333MHz起，隨著工藝的進(jìn)步，內(nèi)存廠商為了增強(qiáng)產(chǎn)品的傳輸性能和市場(chǎng)號(hào)召率紛紛推出了超頻版內(nèi)存，DDR3 2133、DDR3 2400、DDR3 2666、DDR3 2800等規(guī)格的內(nèi)存已經(jīng)是屢見不鮮了。
為最大限度發(fā)揮內(nèi)存的性能，測(cè)試使用了Intel新一代22nm Ivy Bridge處理器Core i7 3770K，Intel官方指導(dǎo)內(nèi)存支持頻率為DDR3 1600。搭配的微星Z77A-GD80主板，產(chǎn)品超頻最高可以支持雙通道DDR3 2800內(nèi)存，最大容量為32GB，當(dāng)然主板支持Intel的X.M.P技術(shù)。
而顯卡方面選擇了技嘉N680OC-4GD，產(chǎn)品基于NVIDIA Kepler GK104核心，采用28nm工藝，擁有1536個(gè)流處理器，核心默認(rèn)頻率1072MHz，BOOST頻率1137MHz，并配備4GB GDDR5顯存，相比公版有不小的提升。
內(nèi)存方面自然是本次測(cè)試的重點(diǎn)，選用了美光鉑勝智能探索者BLT2CP4G3D1869DT2TXRG（以后全部用美光DDR3 1866代替），產(chǎn)品內(nèi)置一組X.M.P內(nèi)存配置，規(guī)格為DDR3 1866，時(shí)序?yàn)?-9-9-27，電壓也為標(biāo)準(zhǔn)的1.5V，美光內(nèi)存在DDR2時(shí)代的D9顆粒已經(jīng)是如雷貫耳，新的美光DDR3 1866內(nèi)存顆粒也采用了D9前綴命名，寓意超頻傳奇的延續(xù)。
美光DDR3 1866內(nèi)存可以以9-9-9-27的時(shí)序穩(wěn)定工作在DDR3 2133，而本次測(cè)試高頻部分全部采用了超頻設(shè)置來完成。
內(nèi)存測(cè)試共涉及DDR3 800、DDR3 1066、DDR3 1333、DDR3 1600、DDR3 1866、DDR3 2133六組頻率，每個(gè)頻率下都包含多組的測(cè)試時(shí)序。
● 說明：接下來的所有測(cè)試數(shù)據(jù)都未經(jīng)過手動(dòng)修正使其符合慣性的測(cè)試規(guī)律，甚至一些可以明顯的看出不合理誤差。畢竟對(duì)于內(nèi)存這種細(xì)微差別的測(cè)試（實(shí)際測(cè)試中，使用了三遍取平均值），每個(gè)數(shù)據(jù)沒有幾十次的測(cè)試很難獲得可靠度較高的數(shù)據(jù)，由于時(shí)間限制無法做出更精確的測(cè)試，而本文的要點(diǎn)則是從這些數(shù)據(jù)中找出普遍的規(guī)律。
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