千項(xiàng)數(shù)據(jù)達(dá)成！DDR3內(nèi)存深度對比測試
與其它內(nèi)存不同的是，美光DDR3 1866內(nèi)存板載多顆LED發(fā)光燈，用戶可以自定義發(fā)光模式，而在本次測試中LED發(fā)光燈還有另外一個作用就是監(jiān)控內(nèi)存的負(fù)載，LED發(fā)光燈會根據(jù)內(nèi)存負(fù)載狀況通過LED的閃動頻率對應(yīng)表達(dá)，最高負(fù)載時內(nèi)存LED頻率閃動高到肉眼無法分辨，給人的錯覺就是長亮。
首先還是進(jìn)行內(nèi)存測試必備的AIDA64內(nèi)存帶寬測試，測試我們選取了讀取帶寬、寫入帶寬和延遲三個類別的數(shù)據(jù)。
首先展示的一組AIDA64內(nèi)存讀取帶寬測試數(shù)據(jù)，基本呈現(xiàn)兩個特征，隨著頻率提升帶寬持續(xù)穩(wěn)定上升，另外同頻率下隨著時序的周期數(shù)增加，讀取帶寬會出現(xiàn)下降趨勢。
其中最低的DDR3 800 8-8-8和最高的DDR3 2133 8-8-8帶寬差了一倍還要多一些。另外總體說來內(nèi)存頻率比內(nèi)存時序?qū)δ軆?nèi)存實(shí)際傳輸帶寬的影響更大一些。
接下來的AIDA64內(nèi)存寫入帶寬測試數(shù)據(jù)，也基本呈現(xiàn)了上述的兩個特征，不過在DDR3 1866頻率全部時序下，寫入帶寬出現(xiàn)了詭異的情況，竟然比DDR3 1600要低出不少，即使后來的DDR3 2133也比DDR3 1600稍遜一籌，目前對這一現(xiàn)象我們也無法給出確切的解釋（猜測可能是其它內(nèi)存參數(shù)Auto導(dǎo)致）。
最后的延遲數(shù)據(jù)則很好的體現(xiàn)了時序?qū)ρ舆t的影響，當(dāng)然頻率依然占據(jù)了主要作用。
實(shí)時拍攝圖片（點(diǎn)擊可查看原始圖片）
實(shí)時拍攝視頻
從實(shí)際拍攝的照片和視頻來看（注意AIDA64內(nèi)存測試部分僅為開始一段，后面的測試為CPU 一、二、三級緩存的測試），AIDA64內(nèi)存測試時LED燈非常明亮，基本可以判定內(nèi)存為滿負(fù)載運(yùn)行，也就是說內(nèi)存頻率或者時序仍然還強(qiáng)烈的影響著內(nèi)存性能的發(fā)揮。
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